EDI超純水處理設(shè)備即電去離子系統(tǒng)，電滲析膜分離技術(shù)與離子交換技術(shù)有機(jī)地結(jié)合起來的一種新的制備超純水（高純水）的技術(shù)，它利用電滲析過程中的極化現(xiàn)象對填充在淡水室中的離子交換樹脂進(jìn)行電化學(xué)再生。該設(shè)備主要是在直流電場的作用下，通過隔板的水中電介質(zhì)離子發(fā)生定向移動，利用交換膜對離子的選擇透過作用來對水質(zhì)進(jìn)行提純。
二．EDI的基本工作原理
EDI是一種將離子交換技術(shù)、離子交換膜技術(shù)和離子電遷移技術(shù)（電滲析技術(shù)）相結(jié)合的純水制造技術(shù)。該技術(shù)利用離子交換能深度脫鹽來克服電滲析極化而脫鹽不徹底，又利用電滲析極化而發(fā)生水電離產(chǎn)生H+和OH-，這些離子對離子交換樹脂進(jìn)行連續(xù)再生，以使離子交換樹脂保持最佳狀態(tài)。
EDI膜堆主要由交替排列的陽離子交換膜、濃水室、陰離子交換膜、淡水室和正、負(fù)電極組成。離子交換樹脂充夾在陰陽離子交換膜之間形成單個(gè)處理單元，并構(gòu)成淡水室，單元與單元之間用網(wǎng)狀物隔開，形成濃水室。在直流電場的作用下，淡水室中離子交換樹脂中的陽離子和陰離子沿樹脂和膜構(gòu)成的通道分別向負(fù)極和正極方向遷移，陽離子透過陽離子交換膜，陰離子透過陰離子交換膜，分別進(jìn)入濃水室形成濃水。同時(shí)EDI進(jìn)水中的陽離子和陰離子跟離子交換樹脂中的氫離子和氫氧根離子交換，形成超純水（高純水）。超極限電流使水電解產(chǎn)生的大量氫離子和氫氧根離子對離子交換樹脂進(jìn)行連續(xù)的再生。傳統(tǒng)的離子交換，離子交換樹脂飽和后需要化學(xué)間歇再生。而EDI膜堆中的樹脂通過水的電解連續(xù)再生，工作是連續(xù)的，不需要酸堿化學(xué)再生。
EDI裝置將給水分成三股獨(dú)立的水流：純水、濃水、和極水。純水（90%-95%）為最終得到水，濃水（5%-10%）可以再循環(huán)處理，極水（1%）排放掉。
三．EDI裝置的特點(diǎn)
EDI裝置不需要化學(xué)再生，可連續(xù)運(yùn)行，進(jìn)而不需要傳統(tǒng)水處理工藝的混合離子交換設(shè)備再生所需的酸堿液，以及再生所排放的廢水。其主要特點(diǎn)如下：
EDI的凈水基本過程：
（1）連續(xù)運(yùn)行，產(chǎn)品水水質(zhì)穩(wěn)定
（2）容易實(shí)現(xiàn)全自動控制
（3）無須用酸堿再生
（4）不會因再生而停機(jī)，節(jié)省了再生用水及再生污水處理設(shè)施
（5）產(chǎn)水率高（可達(dá)95%）。
EDI裝置屬于精處理水系統(tǒng)，一般多與反滲透（RO）配合使用，組成預(yù)處理、反滲透、EDI裝置的超純水處理系統(tǒng)，取代了傳統(tǒng)水處理工藝的混合離子交換設(shè)備。EDI裝置進(jìn)水要求為電阻率為0.025-0.5MΩ·cm，反滲透裝置完全可以滿足要求。EDI裝置可生產(chǎn)電阻率高達(dá)15MΩ·cm以上的超純水。
對于高純水系統(tǒng)，無論從產(chǎn)水質(zhì)量、性能和操作等方面考慮，還是從運(yùn)行費(fèi)用和環(huán)保等方面考慮，反滲透+EDI工藝都是一個(gè)理想的選擇。
目前，成套EDI超純水設(shè)備制備超純水技術(shù)大約有三種，三種工藝各有各的優(yōu)點(diǎn)，也各有各的缺點(diǎn)，第一種是傳統(tǒng)的利用離子置換樹脂制備超純水的工藝，這種工藝優(yōu)點(diǎn)較明顯，設(shè)備運(yùn)行初期的資金投入少，并且設(shè)備體積較小，但樹脂工作時(shí)間長了需要再生，在再生階段會造成大量的酸堿浪費(fèi)以及污染，所以比較不環(huán)保。
現(xiàn)如今，超純水系統(tǒng)工藝主要有三大類，其他的工藝基本上都是在這三大類的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同結(jié)合搭配衍生出來的?，F(xiàn)在將這三種工藝的優(yōu)缺點(diǎn)列于此。
1、EDI電子專用超純水設(shè)備采用的第一種工藝主要使用離子交換樹脂，優(yōu)點(diǎn)顯示在投入資金少，占用的地方不是很大，但缺點(diǎn)也非常明顯，必須經(jīng)常進(jìn)行再生，對環(huán)境有一定的破壞。
2、第二種工藝使用反滲透技術(shù)作為預(yù)處理裝置技術(shù)，這個(gè)工藝缺點(diǎn)比上一種工藝還要嚴(yán)重，初期的投入資金比上一種高出很多，唯一的優(yōu)點(diǎn)就是EDI電子專用超純水設(shè)備再生時(shí)間間隔相對要長，對環(huán)境同樣有一定污染性。
3、、第三種工藝同樣是采用反滲透作裝置作為預(yù)處理設(shè)備，第三種方法這是現(xiàn)如今制取超純水最經(jīng)濟(jì)、最環(huán)保用來制取超純水工藝，不必進(jìn)行設(shè)備再生處理，并且周圍環(huán)境基本無污染。但是其缺點(diǎn)在于資金投入方面相對以上兩種方式還是過于高。
EDI 污染判斷及8種清洗方法
雖然EDI膜塊的進(jìn)水條件在很大的程度上減少了膜塊內(nèi)部阻塞的機(jī)會，但是隨著設(shè)備運(yùn)行時(shí)間的延展，EDI膜塊內(nèi)部水道還是有可能產(chǎn)生阻塞，這主要是EDI進(jìn)水中含有較多的溶質(zhì)，在濃水室中形成鹽的沉淀。如果進(jìn)水中含有大量的鈣鎂離子（硬度超過0.8ppm）、CO2和較高的 PH 值，將會加快沉淀的速度。遇到這種情況，我們可以通過化學(xué)清洗的方法對EDI膜塊進(jìn)行清洗，使之恢復(fù)到原來的技術(shù)特性。
通常判斷 EDI 膜塊被污染堵塞可以從以下幾個(gè)方面進(jìn)行評估判定：
1、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下，進(jìn)水側(cè)與產(chǎn)水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高 45%。
2、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下，濃水進(jìn)水側(cè)與濃水排水側(cè)的壓差比原始數(shù)據(jù)升高45%。
3、在進(jìn)水溫度、流量及電導(dǎo)率不變的情況下，產(chǎn)水水質(zhì)（電阻率）明顯下降。
4、在進(jìn)水溫度、流量不變的情況下，濃水排水流量下降35%。
膜塊堵塞的原因主要有下面幾種形式：
1、顆粒/膠體污堵
2、無機(jī)物污堵
3、有機(jī)物污堵
4、微生物污堵
EDI 清洗注意：在清洗或消毒之前請先選擇合適的化學(xué)藥劑并熟悉安全操作規(guī)程，切不可在組件電源沒有切斷的狀態(tài)下進(jìn)行化學(xué)清洗。
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